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IKW75N65EH5
  
产品属性
类型
描述
选择 
类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop™
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
90 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值
395 W
开关能量
2.3mJ(开),900µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
160 nC
25°C 时 Td(开/关)值
28ns/174ns
测试条件
400V,75A,8 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
92 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3
基本产品编号
IKW75N65
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