您好!欢迎光临深圳市英瑞尔芯科技有限公司官方网站!
产品展示
新闻动态
联系我们

深圳市英瑞尔芯科技有限公司

地   址:深圳市福田区振华路现代之窗A座7B

联系人:刘小姐

电   话:186 6591 0262

微   信:186 6591 0262

IPD50P04P4L-11 当前位置:首页 > Infineon/英飞凌 > IPD50P04P4L-11

IPD50P04P4L-11
  
产品属性
类型
描述
选择 
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, OptiMOS™-P2
包装
卷带(TR)
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10.6 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
59 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
58W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-313
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
IPD50P04
上一篇:MC33079DR2G