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STN1HNK60
  


产品属性


剪切带(CT)


类型
描述
选择
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
156 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.3W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
基本产品编号
STN1HNK60


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