类型 | 描述 | 选择 |
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类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | HEXFET® | |
包装 | ||
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | P 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 30 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A(Ta) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 5.8A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 25µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 595 pF @ 25 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 2W(Ta) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | 6-TSOP | |
封装/外壳 | SOT-23-6 | |
基本产品编号 | IRFTS9342 |