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IRFTS9342TRPBF
  
类型
描述
选择 
类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
40 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
595 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6
基本产品编号
IRFTS9342
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