产品属性
类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | |
制造商 | onsemi | |
系列 | - | |
包装 | ||
零件状态 | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | SiCFET（碳化硅） | |
漏源电压（Vdss） | 1200 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 58A（Tc） | |
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 20V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 56毫欧 @ 35A，20V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4，3V @ 10mA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 106 nC @ 20 V | |
Vgs（最大值） | +25V，-15V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1762 pF @ 800 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（最大值） | 319W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-4L | |
封装/外壳 | TO-247-4 | |
基本产品编号 | NTH4L040 |