RoHS | 是 |
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技术 | Si |
安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-3PF-3 |
通道数量 | 1 Channel |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 1500 V |
Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 9 Ohms |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 63 W |
系列 | N-channel MDmesh |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
单位重量 | 7 g |
制造商 | STMicroelectronics |
包装方式 | 管件 |
寿命周期 | 在售 |
FET 类型 | N 沟道 |
漏源电压(Vdss) | 1500V |
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) | 2.5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 29.3nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 939pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 63W(Tc) |
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) | 9 欧姆 @ 1.3A,10V |
工作温度范围 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |