三极管又称半导体三极管，在电路设计中可以暂停电流控制，其主要作用是暂停和放大微小的信号。由于三极管与MOS管有许多相似之处，初学者无法澄清它们之间的区别。本文将介绍三极管和MOS管之间的一些差异。
三极管是电流控制，MOS管是电压控制。关于两者的区别，小编主要列出以下几点：
1、MOS管只允许从信号源中获得少量电流。当信号电压较低时，建议从信号源中获得更多电流。
2、MOS管是单极性装置，即多载流子导电；三极管是双极性装置，即多载流子和少载流子导电。
3、一些MOS管的源极和漏极可以交换使用，栅极也可以分为正极和负极，比三极管灵活得多。
4、MOS管的应用非常普遍，可以在相对较小的电流和相对较低的电压下工作。
5、MOS管输入阻抗大，噪音低。
6、MOS管比较贵，三极管价格低但损耗大。
7、MOS管常用作电源开关和大电流开关电路，而在高频高速电路中，三极管常用于数字电路开关控制。
三极管
一方面，三极管操作简单，价格低廉，因为它通常用于数字电路的开关控制。MOS管常用于高频高速电路、大电流场所和对基极或漏极控制电流敏感的中心。因此，对于低成本场所，考虑以三极管为首选，如果不起作用，则考虑选择MOS管。
另一方面，三极管不同于MOS管。三极管是通过载流子的运动来工作的。以npn管射极跟随器为例。当基极不加电压时，基区和发射区组成的pn结是为了防止多个子体，基区是空穴，发射区是电子扩散运动。在这个pn结中，会感应到发射区指向基区的静电场(即内部电场)。当基极加正电压指向基区指向发射区时，当基极加电压产生的电场大于内部电场。只有基区的载流子(电子)才能从基区流向发射区，这个电压的最小值是pn结的正导游通电压(工程上一般认为0.7v)。
然而，在这个时候，每个pn结的两侧都会有电荷。此时，假设集电极-发射极加正电压，在电场的作用下，发射区的电子向基区移动（理论上是电子向相反方向移动）。由于基区宽度很小，电子很容易通过基区到达集电区，并与这里的PN空穴（靠近集电极）复合。为了保持平衡，集电区的电子在正电场的作用下加速外集电极的运动，而且空穴是pn结处运动，这个过程类似于雪崩。
收集电极的电子通过电源返回到发射极，这是晶体管的工作原理。当三极管工作时，两个PN结都会感应到电荷。当开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态。假设PN结感应的电荷需要时间才能恢复到平衡状态。MOS不同于三极管，没有这个恢复时间，所以它可以用作高速开关管。