近来，我们南山电子收到很多询问是关于英飞凌MOS管替换和英飞凌IG替换的，例如：你们国产新洁能MOS管的哪一款可以替换英飞凌MOS管？英飞凌coolmos可以用什么替换？英飞凌IG可以用国产IG替换吗？下面就为大家一一解答：其实很多款国产MOS管都可以按照参数替换英飞凌MOS管，主要根据电压，电流等参数让工程师判断下即可，不可否认的是英飞凌MOS管和英飞凌IG确实在技术方面比国产好一些，但是也不要盲目只相信进口，例如新洁能MOS管已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术，其部分产品的参数性能与送样表现，可以与英飞凌MOS管相差无几。而且近年来MOSFET国产替代的需求比较明显，国产替代已经进入了高速增长期，越来越多的中小型客户已经完成了高比例的国产化，在工业领域以及部分细分领域，国产化率已经达到50%以上。
曾有客户问英飞凌coolmos可以用什么替换？新洁能的超结功率MOSFET就可以替换，举个例子，在很早前，新洁能就已在锂电池充电器中做了实验，输出为48V，2A的充电器。效率可达90%。基本参数为650V，20A，Rdson160毫欧姆。可以使用S-J功率MOS管替代英飞凌MOS管，新洁能的超结MOSFET系列目前推出的产品包含500V，600V，650V，700V，800V普通系列，以及针对全桥，板桥，LLC谐振开关等应用，优化体二极管特性的500V，650VTF系列；同时为您提供TO-263，TO-252，TO-220，TO-220F，TO-247在内的多款封装选择。
英飞凌MOS管和英飞凌IG
那么英飞凌IG可以用国产IG替换吗？当然是可以的，相对来说，英飞凌IG应用范围更广，随着以轨道交通为代表的新兴市场和新能源车行业的兴起，将进一步为IG模块等功率器件创造很大增长空间。而且充电桩、变流器、逆变流器等配套设施，尤其需要IG作为控制单元。在经过贸易战的洗礼后，越来越多的中下游厂商主动开始尝试接受国产IG，这就给了国产IG模块更多的试错机会，从而促进了国产IG的技术迭代，让国产IG进入了一个良性的迭代循环的过程。
新洁能IG基于沟槽电场截止型IG技术（Trench Field Stop）理论，进一步优化了器件结构，采用了先进超薄片工艺制程（Ultra Thin Wafer Process），大幅提高了器件的功率密度，显著改善了动态、静态性能。相比上一代新洁能IG，新一代（Trench FS II）新洁能IG模块面积更小，芯片厚度更薄；导通压降（VCEsat）降低约0.3V，开关损耗降低20%以上；器件可耐工作温度更高，使用寿命更长；且维持了较强的短路能力、较高的参数一致性；综合性能达到英飞凌IG的一般水平。
其实很多企业老板与多数工程的关注点不同，造成了多数企业老板有节省成本的意向，但落地时工程师不能配合的局面。很多工程由于对新品牌的不熟悉度和不信任度，不愿意轻易增加自己工作量的同时还去冒险做替换，英飞凌MOS管和英飞凌IG虽然好，但是出于成本目的，为何不换一款国产性能相差无几，价格却有优势的产品呢？说实话，新洁能MOS管也算老牌国产客户认知度较高的品牌，而我们南山电子老客户们都知道，风华阻容感十七年老，长电长晶二三极管MOS管商，爱普生晶振核心商，2020年为了满足更多客户的需求，也为了扩宽我们的产品线，我们与新洁能深度合作，成为新洁能MOS管经销商，为英飞凌MOS管和英飞凌IG替换选型方面提供技术支持。