STM32MCU一般情况下配置有1~2MB双块Flash存储器和256KB SRAM，在某些应用设计中会出现内置RAM不足的情况，需要对STM32单片机进行外扩RAM的处理，可以选择更换更高RAM容量的单片机，除了价格贵还需要涉及其他被动器件的更改，STM32系列可以通过FMSC接口外扩并口SRAM，比如采用ISSI的IS62WV51216，
IS62WV51216 SRAM芯片是一个8M容量，组织结构为512K*16的高速率低功耗静态随机存储器。IS62WV51216高性能CMOS工艺制造。高度可靠的工艺水准再加创新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。使用IS62WV51216的片选引脚和输出使能引脚，可以简单实现存储器扩展。
我司推出一款IS62WV51216的兼容替换物料VTI508NL16，VTI508NL16 SRAM芯片的容量达到了512K×16bit，即为8Mb，相当大的容量，可作为强大微处理器的主缓存使用，可以PIN TO PIN兼容替换IS62WV51216，VTI508NL16产品使用CMOS高性能技术制造, 通常仅以375mW的功率工作。低功耗提供了电池备份数据保留功能，器件采44TSOP2引脚封装， VTI508NL16 SRAM芯片的供电电压VCC的范围为2.7~3.6V，属于普通主板都能提供的弱电输入电压。
当然，其作为SRAM最大的特点就是在主机断电后，仍能通过由电池供电，继续保存已经存储在芯片中的数据，并且其数据保存所需的电压VDR降低到1.5V最低，而所需的电流IDR更是低至4μA最大值，SRAM芯片相比DRAM的优点在于不需要刷新电路就能保存内部存储的数据，而且更为快速、低功耗。读写延时在45/55ns左右，可谓是响应极其迅速的一款产品，适合用在需高速数据传输的设备当中。