1.MOS管是单极、三极管是双极区别.
2.解决问题方面:场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻.
而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错;总体而言,我觉得MOS管的分析要比三极管简单一些.
3.三极管和MOS管的比较可以归纳以下几点:
一、在三极管中,空穴和自由电子都参与导电,称为双极型器件,用 ** T表示;而MOS管只有多子导电,称为单极型器件,用FET表示.由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响,在环境变化剧烈的条件下,选用FET比较合适.这也就是我们通常所说的MOS管比较稳定的原因.
二、在放大状态工作时,三极管发射结正偏,有基极电流,为电流控制器件,相应的输入电阻较小,约103Ω;FET在放大状态工作时无栅极电流,为电压控制器件,输入电阻很大,JFET的输入电阻大于107Ω,MOS管的输入电阻大于109Ω.
三、MOS管的源极和漏极在结构上对称,可以互换使用(但应注意,有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接,使用时就不能互换).对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零,使用时比较灵活.三极管的集电极和发射极一般不能互换使用.
四、在低电压小电流状态下工作时,FET可作为压控可变线性电阻器和导通电阻很小的无触点电子开关.
五、MOS管工艺简单,功耗小,适合于大规模集成.三极管的增益高,非线性失真小,性能稳定.在分立元件电路和中、小规模集成电路中,三极管仍占优势.
六、三极管的转移特性(ic-vbe的关系)按指数规律变化,MOS管的转移特性按平方规律变化,因此场效应管的非线性失真比三极管的非线性失真大.
七、MOS管的三种基本组态电路(共源、共漏和共栅)可以对照三极管的共发、共集和共基电路,由于场效应管的栅极无电流,所以输入电阻R'i≈∞.跨导gm比三极管的小一个数量级,gm我们可以用转移特性求导得到
4.三极管可以说是电流控制电流源的器件,而电流是通过输入电阻的大小来体现的;但MOS管是电压控制电流源的器件.