众所周知，晶体管分为双极晶体管和单极晶体管，其中：
双极晶体管：三极管 NPN管和PNP管；
单极晶体管：场效管（MOSFET和JFET）；
MOS相对三极管具有速度快、输入阻抗高、噪音低、动态范围大、功耗小、集成方便等优点。
总结其主要参数和重要特性，只有更好地理解其参数和特性，才能设计出稳定可靠的电路。
主要参数静态特性参数BVDSS：泄漏电压是正温度系数
BVGS：格栅源击穿电压
VGS(th)：阈值电压为负温度系数
VSD：二极管正电压
RDS(on)：导通电阻
RGS：栅源电阻与栅极电流之比
IDSS：正温度系数
IGSS：格栅源泄漏电流，特定格栅源电压下流过格栅极的电流
动态特性参数Ciss输入电容，短接漏源，测量交流信号的栅极与源极之间的电容。
Ciss=Cgs Cgd，当输入电容器充电到阈值电压时，设备打开放电到一定值的设备关闭，从而驱动电路和Ciss直接影响设备的开关延迟；
Coss输出电容，栅源短接，交流信号测量泄漏电极和源极之间的电容。
Coss=Cds Cgd，软开关应用可能导致电路谐振；
Crss反向传输电容，源极接地，测量漏极与栅极之间的电容，相当于Cgd。
又称米勒电容，对开关的上下时间非常重要。
Td（on）导通延迟时间：当格栅源电压上升到10%时，格栅极驱动电压上升到规定电流的90%。
Td（off）关闭延迟时间：当网源电压下降到90%时，当网极驱动电压下降到规定电流的10%。
Tr：上升时间：漏极电流从10%上升到90%；
Tf：下降时间：漏极电流从90%下降到10%；
NF低频噪声系数：噪声是由管道内载流子运动的不规则引起的由于其存在，放大器在没有信号输入的情况下，输出端也会发生不规则的电压和电流变化。场效应管的噪声系数一般为几个分贝，小于双极三极管。
gm：跨导，像三极管β，衡量MOS管道放大能力标志之一；
小功率管gm大功率管可以做大gm一般都很小；特别是开关有效，小好。
电导是电阻的倒数，跨导是输出端电流变量与输入端电压变化的比值；
因此，跨导可以控制漏源之间的电流。
重要特性Ø 导通特性
导通的意义是作为开关，相当于开关关闭。Vgs满足一定条件就会导通。
Ø 损耗特性
导通电阻存在后，电流会被电阻消耗能量，这部分称为导通损耗；
小功率管的导电阻一般为几毫欧几十毫欧，Vgs电压不同，电阻也不同。
当管道在导电和截止日期时，两端的电压有一个着陆过程，电流有一个上升过程。在此期间，管道的损失是电压和电流的乘积，称为开关损失；通常，开关损失远大于导电损失。频率越快，损失就越大。缩短开关时间，降低开关频率可以减少开关损失。
Ø 寄生电容驱动特性
GS GD寄生电容器之间，MOS理论上，管道驱动是对电容器的充放电；
电容器充电需要一个电流，因为电容器充电瞬间可以看作是短路，所以瞬时电流会比较大，所以在选择时要注意抗冲击电流的大小。
Ø 寄生二极管
漏极源极之间有一个寄生二极管，也称为体二极管，主要用于保护感性负载(电机继电器)的电路。然而，体二极管只是单个的MOS集成芯片中没有管道。
Ø 转移特性
现场效应管的转移特性是指当泄漏电压固定时，格栅电压Vgs对漏极电流Id控制特性；
Vertical D-MOS管2N7002特性；VDMOS的跨导（gm）线性度好。
电源开关管的特点。
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