感光/光学三极管（MOS管的特性）
MOS氢氧化物半导体材料型场效应管属于场效应管中的绝缘层格栅型。MOS管道有时被称为绝缘层栅场效应管。MOS管道通常用于操作放大器或开关电源电路。
关键分为N沟场效应管，P沟场效应管有两种结构。
图1 图2
图1：A、B它的框架图和标记；
图2： A、B分别是P沟MOS管道框架图及标记。
MOS管道原理：图3为N沟MOS管道工作中的电路原理图.
图3-A 图3-B
从图3-A可见，加强型MOS管道的漏极D和源极S之间有两个背对背PN结。当栅-源电压VGS=0时，即使加上泄漏源电压VDS，总有一个PN在反偏情况下，泄漏-源极之间没有导电通道（没有电流通过），因此泄漏电流ID=0。
将正方向电压添加到栅-源极间，图3-B所显示，即VGS>0，栅压和硅衬底中间SiO2.由于金属氧化物层是绝缘层，因此在电缆护套中，会导致格栅压力偏向P型硅衬底的静电场VGS无法产生电流，金属氧化物层两侧产生电容器，VGS等效电路是给电容器电池充电，产生静电场，伴随着VGS慢慢上升，被网格压力的正电压吸引，大量电子聚集在电容器的另一侧，产生从漏极到源极的N型导电通道VGS打开电压超过管道VT（一般约为 2V）时，N沟管逐渐关闭，产生漏极电流ID，当逐渐产生通道时，大家称之为开启电压，通常使用VT表明。控制网压电压VGS如果静电场的尺寸发生变化，可以操纵漏极电流ID这也是尺寸的目的地MOS静电场用于操纵电流的一个关键特性，因此也称为场效应管。
MOS管道特性(图)：
1） MOS因此，管道是一改电压来操纵电流的元件，因此它是一个电压元件。
2） MOS因此，输入电阻极高，管道输入特性为容性特性。
图4-A N沟道MOS管符号图 图4-B N沟道MOS管道电压正负极和衬底连接
图5-A P沟道MOS管符号图 图5-B P沟道MOS管道电压正负极和衬底连接
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我：wyf 2020.10.23