一般觉得MOSFET它由电压驱动，无需驱动电流。众所周知，在MOS的G S二级中间有结电容器，会驱动MOS变得不那么简单。
如果不考虑谐波失真和谐波失真EMI等等，MOS管道电源开关速率越快越好。由于定时开关越少，开关损耗越小，开关损耗占开关电源电路总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电源电路的优缺点立即影响电源效率。
针对一个MOS管，假如把GS中间电压从0拖到管道打开电压的时间越少，那么MOS打开管道的速度会更快。与此类似，如果把手MOS管的GS电压从打开电压降至0V时间越少，那么MOS关闭管道的速度越快。
因此，我们可以理解，如果我们想在更短的时间内把它放在更短的时间内GS需要提高或降低电压MOS管栅极高的瞬间驱动电流。
常见的大伙儿PWM立即驱动芯片导出MOS或者用三极管放大后再驱动MOS事实上，在瞬间驱动电流方面存在很大的问题。
更好的方法是应用特殊的方法MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管道，这种芯片通常在很大的瞬间导出电流，并且兼容TTL电平键入，MOSFET驱动芯片的内部结构
MOS必须注意驱动电路原理的区域：
生存电感器和生存电感器将出现在驱动路线布线上MOS管道的结电容会形成一个结电容LC谐振电路，如果驱动芯片的导出端立即收到MOS管栅极得话，在PWM波的升降会造成很大的振荡，造成MOS管道大热甚至爆炸，一般的解决方案是将10欧欧元的电阻串联在栅极上，减少LC正弦波振荡器的Q值，快速损失振荡。
由于MOS管栅输入电阻极高，一点静电感应或影响很可能造成MOS因此，建议管理欺诈通行证MOS管G S中间并接一个10K减少输入电阻
如果担心周围输出功率路线的影响，莲藕会回来，造成瞬间高压穿透MOS如果话，可以在GS中间并接一个18V上下的TVS二极管瞬态抑制，TVS可以认为是反应速率快的稳压管，瞬间可以承受的输出功率高于一切KW，单脉冲可用于消化和吸收一瞬间的影响。
MOS参考管道驱动电源电路
MOS管驱动电源电路布线设计方案
MOS虽然驱动路线的环城路总面积应尽可能小，否则可能会引入外部干扰信号
驱动芯片的旁路电容应尽可能靠近驱动芯片VCC和GND管脚，否则布线的电感器会在很大程度上损坏芯片的瞬时导出电流。
普遍的MOS管驱动波型
如果发生这样的波形，等待核爆炸。大部分时间管道在线区域工作，消耗极大。
一般这种情况是电感器走线太长，栅极电阻救不了你，只好再画木板。
高频振铃严重破相波形。升降时沿振荡严重，管道一般瞬间死亡，类似于一种情况，进入线形区域。原因也差不多，主要是走线问题。肥猪波又胖又圆。升降沿极其缓慢，这是由于特性阻抗不匹配造成的。芯片驱动能力差或栅极电阻大。
坚决更换大电流驱动芯片，栅极电阻小格调OK了。
肿脸充正弦函数出生在波形家族的三角波中。驱动电源电路特性阻抗超大发生。这是管道必杀技波。解决方案和上面一样。
每个人的脸，公众最喜欢的波形。高低频率清晰，脉冲信号现在可以称为脉冲信号，因为它是平的。边缘陡峭，电源开关速度快，损耗小，振荡小，可以接受，管道不能进入线性区域，强迫思维可以适度调整高栅极电阻。
四四方方的帅男波，无振铃无峰无线损耗的三无产品，这是最极端的波型。