现阶段，制定中应用的关键电阻器有三种：多晶硅MOS管及其电容器电阻。在制定中，要依据必须熟练掌握这3种电阻，使集成ic最好的设计方案。
1、MOS管道集成电路的特点和特点
1、功耗低MOS管道集成电路采用场效管，均为相辅相成的结构。在工作过程中，两个串联的场效管一直处于一个管道导通，另一个管道截止时，电源电路静态数据功耗理论为零。事实上，由于泄漏电流，MOS管电源电路还有少量静态数据功耗。单个逻辑门的典型功耗值仅为20mW，动态功耗(1MHz输出功率只有几个mW。
2.工作标准电压范围宽MOS管道集成电路配电简单，配电开关电源小，通常不需要稳压管。CC4000系列产品的集成电路可以在3~18V正常工作在工作电压下。
3.逻辑摆幅大MOS管道集成电路的逻辑高电平1和逻辑低电频0各接近开关电源的高电位VDD影片低电位差VSS。当VDD=15V，VSS=0V导出逻辑摆幅与15相似V。因而，MOS在各种集成电路中，管道集成电路的工作电压和电压利用率指标值较高。
输入电阻高MOS管道集成电路的输入端一般由维护二极管和串联电阻组成，因此略小于一般现场管道的输入电阻，但在所有正常工作标准电压范围内，维护二极管处于相反的方向偏置，直流输入电阻在于二极管的泄漏电流，一般等效电路输入电阻达到103~1011Ω，因而MOS管道集成电路几乎不消耗光耦电路的输出功率。
5.温度可靠性好，因为温度可靠性好MOS管道集成电路功耗低，内部热值低，MOS管道电源线路结构和电气设备的主要参数是对称的。当温度自然环境发生变化时，一些主要参数可以具有自动补偿效果MOS管道集成电路具有良好的温度特性。工作温度为-55~ 125℃;塑料封装电源电路的温度范围为-45~ 85℃。
6.通过电源电路导出端可以推动的键入端数来表示扇出能力强。MOS管道集成电路的输入电阻极高，因此电源电路的输出能力受键入电容器的限制，但当MOS管道集成电路用于推动同一类型，如果不考虑速率，一般可以推动50多个键入端。
2、MOS管道集成电路电阻的应用
多晶硅电阻集成电路中的片式电阻间距理想化电阻相对较远，在规范中MOS管加工工艺中，最满意的微波感应器电阻器是多晶硅条。
ρ为电阻率;t金属板薄厚；R□=（ρ/t）企业为层析电阻率Ω/□;L/W为宽高比。由于常见的层析电阻不大，多晶硅的电阻率通常为100Ω/□，设计方案标准明确了多晶硅条总宽度的极小值，因此由于集成，低值电阻必须规格较大ic事实上，范围的限制是很难完成的。蔓延条自然可以用来分析电阻，但由于工艺技术的多变性，通常很容易受到温度和工作电压的危害，很难准确操作其肯定值。实际生存效果也很显著。无论是多晶硅还是扩散层，它们的电阻变化范围都很大，与引入原料中的杂质浓度有关。精确值不易计算。数字功放电阻器常用于集成电路。