泰德兰电子给英国AOS万代高压低压MOS管输出功率MOSFET强烈推荐和应用问题分析服务支持及其型号规格型号mojay茂捷的AC-DC,torex特瑞仕的DC-DC电源IC/霍尼韦尔(Honeywell)感应器等计划方案型号规格强烈推荐---MOS分析管电源开关的适当使用方法有哪些？
答：mos管是金属材料(metal)、金属氧化物(oxide)、半导体材料(semiconductor)晶体管或金属材料-绝缘物的场效应(insulator)、半导体材料。MOS管的source和drain可以交换，都是P型。backgateN型区中产生。在大多数情况下，这两个区域是相同的，即使两侧交换也不会损害组件的特性。这种组件被认为是对称的。
MOS管原理NMOS的特点，Vgs如果超过一定值，就会导通。适用于以源极接地装置（中低端驱动）时的情况。只有栅极电压达到一定电压（如4）V或10V， 其他电压，看指南)。
PMOS的特点，Vgs如果低于一定值，就会导通，适合以源极接VCC现状(高端推广)。然而，尽管如此PMOS它可以很容易地作为高端推广，但由于导通电阻大，价格昂贵，更换类型少，通常或应用于高端推广NMOS。
在使用MOS当管道设计方案开关电源电路或电机光耦电路时，绝大多数人会考虑MOS也有很多人只考虑导通电阻、大电压、最大电流等因素。这样的线路可能可以工作，但不是很好，不允许作为宣布的设计产品。
1，MOS管道类型及结构
MOSFET管是FET一个(另一个)JFET），可生产成加强型或耗光型，P截面或N沟有4种，但只使用加强型N截面MOS管道和加强型P段MOS因此，通常提到管道NMOS，或是PMOS指的是这两种。为什么不使用耗光型？MOS不建议追根究底。
针对这两种加强型MOS管道，比较常见的是NMOS。因为导通电阻小，很容易制造。因此，一般用于开关电源电路和电机驱动器NMOS。下面的详细介绍大多是NMOS为主导。
MOS分布式电容器存在于管道的三个引脚中间，这不是每个人都必须的，而是由于生产和制造技术的限制。分布式电容器的存在促使在设计方案或选择光耦合电路时更加不方便，但没有办法防止，以后再详细说明。
在MOS从管道电路原理图可以看出，泄漏极和源极之间有一个生存二极管。这被称为体式二极管，它在促进理性负载（如电机和汽车继电器）时非常重要，以维护控制电路。顺便说一句，体式二极管只有一个MOS集成电路芯片中通常没有管道内存。
MOS美国详细说明了管道的适当使用方法aos泰德兰电子是万代半导体材料代理商的参考文献(1)三极管和MOS管道的基本特征三极管是电流操纵电流元件，集电结电流转换由基极电流转换操纵。NPN型三极管和PNP两种类型的三极管标记如下：
MOS管道是电压控制电流元件，利用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。MOS管（通称PMOS）和N断面MOS管（通称NMOS），标记如下(这里只讨论常见的加强型)MOS管）：
（二）三极管和MOS适当使用管道（1）NPN型三极管极三极管GND集电结接负载到VCC状态。只需基极电压高于射极电压(这里是GND）0.7V，即发射结正偏（VBE为正），NPN三极管可以逐渐导通。
高电平推动基极NPN型三极管导通(低频时不导通)；除了功率电阻，基极更好的设计方案是下拉电阻10-20k到GND；优势是，①使基极操纵脉冲信号由高降低时，基极可以迅速被降低，NPN三极管可以快速更可靠地截止；②当系统软件刚通电时，基极是明显的低频。
（2）PNP型三极管极三极管VCC集电结接负载到GND状态。只要基极电压小于射极电压(这里是VCC）0.7V，即发射结反偏（VBE为负），PNP三极管可以逐渐导通。
低电频推动基极PNP型三极管导通(高电平时不导通)；除了功率电阻，更好的设计方案是连接拉电阻10-20k到VCC；优势是，①当基极操纵脉冲信号由低变高时，基极可以迅速拉升，PNP三极管可以快速更可靠地截止；②当系统软件刚通电时，基极是明显的高电平。
因此，如上所述：
对NPN对于三极管，最好的设计方案是负载R12接入集电结和VCC中间。不完善的设计方案是负载R12接进射极和GND中间。
对PNP对于三极管，最好的设计方案是负载R14接入集电结和GND中间。不完善的设计方案是负载R14接入集电结和VCC中间。
这样，负载的转换就可以防止莲藕到操作端。从电流方向可以看出。
（3）PMOS，合适源极接VCC漏极负载到GND的状况。只要栅极电压小于源极电压(这里是VCC）超出Vth（即Vgs超过-Vth），PMOS可逐渐导通。极低电频推动格栅PMOS导通(高电平时不导通)；除了功率电阻，更好的设计方案是连接拉电阻10-20k到VCC，当网极操纵脉冲信号由低变高时，网极可迅速拉升，PMOS能快速更可靠地截止。
（4）NMOS，合适源极接GND漏极负载到VCC的状况。只需要高过源极电压的栅极电压GND）超出Vth（即Vgs超过Vth），NMOS可逐渐导通。高电平推动栅极NMOS导通(低频时不导通)；除了功率电阻，更好的设计方案是下拉电阻10-20k到GND，当网极操纵脉冲信号由高降低时，网极可以迅速降低，NMOS能快速更可靠地截止。
因此，如上所述
对PMOS最好的设计方案是负载R16接进漏极和GND中间。不完善的设计方案是负载R16接进源极和VCC中间。
对NMOS最好的设计方案是负载R18接进漏极和VCC中间。不完善的设计方案是负载R18接进源极和GND中间。
(三)设计原理为了防止负载转换与操作端(基极)联系起来Ib或栅极Vgs）高精度逻辑元件(如MCU）集电结或漏极应连接负载。
MOS管优点1.场效管可用于变大。由于场效管放大器的输入电阻很高，滤波电容可以很小，不需要电解电容。
2.场效管输入电阻高，特别适用于特性阻抗转换。常见于多级放大器的输入级阻抗转换。
3.场效管可作为可调电阻。
4.直流电源可方便地使用场效管。
5.场效管可作为开关元件。
6.现场管道在电路原理上具有很大的操作灵活性。网格偏差压力可为正、负、零，三极管只在正方向偏差下工作，整流管只在负偏差压力下工作。此外，输入电阻高，可缓解信号源负载，方便前配对。