众所周知，三极管是用的Ib 控制电流的电流Ic 因此，三极管是电流控制装置。
而MOS管是利用U gs 控制电流的工作电压I d 的，所以说MOS管道是电压控制电流的装置。
针对N断面加强型MOS管，当U gs >U gs(th) 时，MOS它会逐渐关闭。如果在D极和S极之间增加一定的工作电压，就会有电流Id造成。
在一定的U ds 下，D极电流I d 与G极工作电压尺寸为U gs 相关的。
先说说吧MOS管道的频率特性曲线图，MOS管道的频率特性可分为截止区、恒流区、可调电阻区三个区域。
▲ MOSFET频率特征曲线图
截止区：当到达U gs
截止区域在频率特性的底部靠近横坐标轴的一部分，表示MOS在截止日期，管道不能导电。截止日期也称为夹断区。在该区域中，断面的所有夹断和电流I d 为0，管道不工作。
恒流区：当达到U gs ≥U gs(th) ，且U ds ≥U gs -U gs(th) ，MOS管道进入恒流区。
恒流区位于频率特征曲线图的中间Id基本上不随U ds 转变，I d 尺寸的关键决定是工作电压U gs ，所以叫恒流区，也叫饱和状态区，当MOS恒流区(饱和状态区)用于操作放大器。
注：MOS恒流区(饱和状态区)具有管频率特性，相当于三极管的变大区。
可调电阻区：当达到U gs >U gs(th) ，且U ds
在频率特性的最左侧，I d 伴随着U ds两者通常是线性相关的 ，因此，它可以被视为线性电阻器U gs 不一样电阻器的电阻值便会不一样，因此在该区域MOS管很便是一个原因U gs 可调电阻控制。
穿透区位于频率特征左侧，伴随着U ds 扩大，PN承受较大的反向工作电压并穿透，工作时应防止管道在该地区工作。
依据MOS管道的频率特性曲线图， 比如下图是取Uds =10V点，然后作为图的方式，可以获得相应的点 迁移特征曲线图。
迁移迁移的特点Uds 不变的时候，Id 与Ugs 相互关系。
我们可以在图中的迁移特征曲线图上看到 Ugs 超过4V时， Id 而当 Ugs 抵达5V以上时， Id 基本上变化不大。
来源：电子线路