如下所示是一个NMOS开关电源电路，阶跃数据信号VG1设定DC脉冲信号2V，波形（震幅2V，工作频率50Hz），T2的打开电压2V，因此MOS管T2会以周期T=20ms开展关闭和截止转换。
首先模拟模拟Vgs和Vds会看到的波型Vgs=2V的过程中有一个小平台，有些人会想知道为何Vgs上升会有一个小平台？
MOS管Vgs小平台
带着这个疑惑，我们试着把电阻器拿走R1由5K改成1K，再度模拟仿真，发觉这一平台越来越不大，几乎没了，这也是为什么呢？
MOS管Vgs改进了小平台
为了更好地了解这种情况，必须支持基础知识。
MOS管的等效电路实体模型
常见的MOS管图类型为左侧，右侧称为MOS等效电路实体模型。
在其中：Cgs称之为GS生存电容，Cgd称之为GD生存电容器，键入电容器Ciss=Cgs Cgd，导出电容Coss=Cgd Cds，反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。
假如你没有掌握MOS管I/O请点击电容定义:陪你了解MOS管主要参数「传热系数、I/O及时开关电容器」
米勒效用的罪魁祸首是米勒电容，米勒效用是指I/O电容器遍布中间Cgd在正相反变大的效果下，米勒效用将产生米勒平台，促进等效电路输入电容值变大。
最先大家必须明白的一个点是：由于MOS管道生产制造加工工艺必然会造成Cgd，也就是说，米勒电容器必须存在，所以米勒的效用是不可避免的。
米勒效用的缺陷是什么？
MOS开管是一个从零开始的全过程，MOS管D极和S极重合时间越长，MOS管道的导通损耗越大。由于米勒电容器和米勒平台，MOS管道打开时间拉长，MOS管道的导通耗损必然会扩大。
模拟时，大家都会模拟G极电阻器R缩小后，发现米勒平台有所改进？大家应该都知道原因。
MOS根据格栅压力电阻器，打开管道可视为键入电压R1对生存电容Cgs电池充电全过程，R1越小，Cgs电池充电越快，MOS管道打开得越来越快，这也是为了减少栅压电阻，米勒平台得到了改进。
米勒平台发生了什么？
以NMOS管而言，在MOS管道打开前，D随着键入电压的扩大，极电压超过G极电压，Vgs在扩大，Cgd与此同时，存储的正电荷必须与键入电压中合，因为MOS当管道完全导通时，G极电压超过D极电压。
所以在米勒平台上，是的Cgd电池充电的全过程，此刻Vgs变化不大，当Cgd和Cgs当处于同一水平时，Vgs才逐渐再次上升。
下图分析米勒效用， 原因图是什么？
MOS管D极负荷是电感器连续流二极管的工作模式和DC-DC BUCK一样，MOS管导通时，VDD由于电感器L的电池充电，MOS管导通时长非常短，可以类似电感器为一个直流电源，在MOS当管道关闭时，续流二极管给电感器L一种泄流方式，产生续流。
MOS打开管道可分为四个环节。
t0~t1环节
从t0逐渐，G极给电容Cgs电池充电，Vgs从0V升高到Vgs(th)时，MOS管都处于截止状态，Vds保持不变，Id为零。
t1~t2环节
从t1后，Vgs超过MOS管打开电压Vgs(th)，MOS管道逐渐导通，Id当电流增加时，等效电路图如下所示IDS当电流没有达到电感器的电流时，部分电流会二极管，二极管DF二极管两侧仍处于钳位状态，此时仍处于导通状态Vds电压几乎不变，只有一个很小的低(杂散电感器的危害)。
t1~t二环闭合电路
t2~t3环节
伴随着Vgs电压升高，IDS当电流与电感器相同时，MOS二极管的D极电压不会再被二极管控制DF钳位，DF在相反的方向截止，所以VdsG极的工作电压迁移逐渐降低Cgd电池充电， Vgs米勒平台，Vgs电压保持不变，Vds慢慢减少到导通损失VF。
t2~t三环闭合电路
t3~t4环节
当米勒电容Cgd充满电后，Vgs电压再次升高，直到MOS彻底导管。
融合MOS管导曲线图，总结MOS全过程导管
t0~t1，MOS管在截止区；t1后，Vgs超出MOS随着管道打开电压Vgs的扩大，ID扩大，当ID当电感器电流量相同时，续流二极管向相反的方向上升，t2~t3时间范围，Vgs进入米勒平台期，此时D极电压不会再续流二极管钳位，MOS缩小夹断区，t3后进入线形电阻区，Vgs再次上升，Vds慢慢减少，直到MOS彻底导管。
MOS导出曲线图
今天的文章到此结束。我期待着帮助你。下次见。
创作者：还记得诚
来源:我还记得诚电子产品设计
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