《泰德兰电子》提供输出功率MOSFET型号规格型号的选择和应用分析及其问题AC-DC,DC-DC电源IC计划方案型号规格建议-什么？pwm驱动mos管道电源开关
答：MOS管开关电路是一种电源电路MOS管栅压（g）操纵MOS管源极（s）和漏极（d）电源电路的基本原理结构。MOS管道分为N段和P段，因此开关电路也分为两种。本文为您生成了三种类型pwm驱动mos管开关电路分析。
AO3401很常见MOS管道，独特的负荷，如H桥内的双重MOS驱动。常用的驱动集成ic如AO3400
假如只有一个MOS这种加强型管道的一般驱动方法NMOS管立即加一个电阻器过流保护就可以。因为MOS为了更好地加有分布式电容器。有时，为了更好地加速电容器的放电，电阻反向连接二极管。
用以NMOS驱动电源电路和PMOS驱动电源电路
对于NMOS简要分析驱动电源电路：
Vl和Vh中低端和高端开关电源，两个电压可以相同，但是Vl不应该超出Vh。
Q1和Q2形成反置图腾柱，同时保证两个驱动管Q3和Q同时关闭也不容易。
R2和R3提供了PWM根据此标准的修改，电压标准可以使电源电路工作PWM信号波形较陡的部位。
Q3和Q由于关闭，4用于提供驱动电流，Q3和Q4相对性Vh和GND至少只有一个Vce这种损失通常只有0.3V上下，大小于0.7V的Vce。
R5和R6用于意见反馈电阻器gate电压取样，取样后的电压根据Q5对Q1和Q2的基极引起明显的负反馈，然后是gate电压限制在相对有限的值上。这个值可以根据R5和R6来调整。
最终，R1提供了对Q3和Q基极电流基极电流，R4提供了对MOS管的gate限制电流，即Q3和Q4的Ice限制。在必要的过程中R加速电容并接在上面。
该电源电路提供了以下特：
1、中低端电压和PWM驱动高档MOS管。
2.使用一些较小的范围PWM信号驱动高gate电压要求的MOS管。
3，gate最高电压限制
4.限制输入和导出的电流
5.根据适当的电阻，功能损耗可以很低。
6，PWM信号正反相。NMOS并不一定这一特性，可以根据外置一个反相器来处理。