一、N沟道耗尽型MOS管
在绝缘层 中参入大量正离子如下图所示：
即使 =0，在正离子作用下，也存在反型层，即y漏源之间存在导电沟道。
可以想象： >0 ===》 沟道变宽
： <0 ===》 沟道变窄
二、P沟道MOS管
专业术语不想再聊了，太绕口。直接一点，所谓N沟道就是在Pn型半导体上面做了两个N区域。两个N区域之间通过一定手段实现一个通道（沟道）.从而两个N区域导通。
那么P沟道MOS管，顾名思义了，就是在N型半导体的硅片上做了两个P区域。然后呢也是通过一定手段将两个P区域之间形成过一个沟道，从而两个P型区域导通（其实说的很不专业，不求甚解，重在理解）。
三、VMOS管
想象一下MOS管，漏源之间加上电压，导致漏源之间存下一定电流从微观上来看时电子流向漏极。所以管子的耗散功率主要消耗在漏极上面，但是MOS管的漏极很小。从而导致MOS管不能承受较大的功率。VMOS管也就是为了解决这个原因而产生的。
如图以N沟道VMOS为例
问题在于他是如何解决可以承受高功率的呢？MOS之所以m不能承受是因为漏极太小。所以VMOS管将漏极做的很大。如图红色方框标注的地方。 和N型外延伸层共同组成了漏极。从而使漏区面积增大。