MOS管的MOS特性：
turn off /turn on 延时 ：限制了MOS器件的工作速度频率，当使用MOS上下管时必须注意两只管子的反应时间，即上管关闭下管导通之间的延时。MOS管的导通电阻RDS（on)随着温度的升高而增加MOS管的阈值电压VGS（th）沟道体区发生反型时需要的最低栅源电压，VGS（th）随温度升高而降低MOS漏源击穿电压：稳态时关断后的最大电压不能超过额定电压的70%~90%漏极电流Idd:计算得来已知：壳温TC，导通电阻Rds(on)(一定温度下)，热阻RthJc， 最大结温Tj ** x
MOS 的雪崩，与寄生的NPN双极晶体管有关MOS管EOS 的来源dv/dt过快，引起寄生的NPN晶体管激活，二次击穿（雪崩或者功率击穿）发生栅电压驱动过强或静电电压过大，激活寄生的NPN晶体管栅极工作频率过大，激活寄生的NPN晶体管自激振荡引起寄生的NPN晶体管激活，二次击穿