MOS管并联和晶体管以及MOS管的并联理论
晶体管与MOS管并联理论：
(1)、晶体管具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。
(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。
相比于晶体管，MOS管的特性更加适合并联电路中的均流，因此当电路中电流很大时，一般会采用并联MOS管的方法来进行分流。采用MOS管进行电流的均流时，当其中一路电流大于另一路MOS管中的电流时，电流大的MOS管产生的热量多，从而引起导通电阻的增大，减少流过的电流；MOS管之间根据电流大小的不同来反复调节，最后可实现两个MOS管之间的电流均衡。
注：晶体管也可以通过并联来实现大电流的流通，但是此时需要通过在基极串接驱动电阻来解决各个并联晶体管之间的电流均衡问题。
晶体管(MOS管)并联注意事项：
(1)、各个晶体管(MOS管)的基极(栅极)不能直接相连，要分别串接驱动电阻进行驱动，以防止振荡。
(2)、要控制各个晶体管(MOS管)的开启时间和关断时间保持一致，因为如果不一致，先开启的管子或后关断的管子会因电流过大而击穿损坏。
(3)、为了以防万一，最好在各个晶体管(MOS)管的发射极(源极)串接均流电阻，当然这并非强制选项。