MOS管是FET的一种，可生产制造成加强型或耗光型，有P型或N型，不论是那类，其原理实质全是一样的。MOS管类型和功效诸多，在开关电源的应用中关键使用其电源开关功效。
MOS管常加在键入端栅压的工作电压来调节导出端漏极的电流，根据加在栅压上的工作电压调节元器件的特点，不容易产生像三极管做电源开关时的因基极电流造成的正电荷储存效用。在开关电源中常见MOS管的漏极引路电源电路，漏极完好无损地接负荷，叫引路漏极。开路漏极电源电路中无论负荷接多大的工作电压，都可以连接和关闭负荷电流，是理想化的模拟开关元器件。
MOS管的工作环境可分成启用全过程、关断情况、关闭全过程和截至情况。损耗可分成电源开关损耗、导通损耗、截至损耗和山崩动能损耗。普遍的损坏缘故有流、过电压和静电感应等。
关键造成发烧的原因有四种：
1、电路原理问题。如MOS管工作中在线形的运行状态，而不是在电源开关情况。假如NMOS做电源开关，其G级工作电压要比开关电源高几V才可以彻底关断，而P-MOS则反过来。沒有彻底开启而损耗过大导致输出功率耗费，等效电路直流电特性阻抗较为大，损耗扩大，因此U*I也扩大，损耗就代表着发烫。
2、应用頻率太高。如太过追求完美容积，造成頻率提升，MOS管上的损耗扩大，发烫也加强了。
3、沒有搞好充足的排热设计方案，电流太高，MOS管额定值的电流值，一般必须优良的排热才可以做到。因此ID低于较大电流，也是有很有可能发烫比较严重，因而必须充足的輔助散热器。
4、MOS管的型号选择不对。如对输出功率分辨不正确，MOS管内电阻沒有考虑到，造成电源开关特性阻抗扩大。
上边讲了MOS管发烫及损坏缘故，下边讲讲导致开关电源开关管损坏的因素关键有：
1、开关电源键入的交流电流过高或过低导致；
2、软起动电源电路的无效导致；
3、开关管集成电路芯片反峰消化吸收电源电路无效导致；
4、稳压电源电路中去耦电容无效导致；
5、稳压电源电路的负反馈开环增益；
6、正反馈过强导致；
7、整流二极管损坏造成；
8、开关电源变电器损坏导致；
9、开关电源整流管损坏导致；
10、开关管发射极功率电阻过小导致；
11、开关管特性欠佳或效率过小导致；
12、开关管与散热器中间的绝缘层欠佳导致。