现阶段，在制定中应用的关键有3种电阻器：多晶硅、MOS管及其电容器电阻。在制定中，要依据必须熟练掌握这3种电阻，使集成ic的设计方案做到最佳。
1、MOS管集成电路的特性及特点
1、功耗低MOS管集成电路选用场效管，且全是相辅相成构造，工作中时2个串连的场效管一直处在一个管导通，另一个管截至的情况，电源电路静态数据功耗理论上为零。事实上，因为存有泄露电流，MOS管电源电路还有少量静态数据功耗。单独一个逻辑门的功耗典型值仅为20mW，动态性功耗（在1MHz输出功率时）也仅为几mW。
2、工作标准电压范畴宽MOS管集成电路配电简易，配电开关电源体型小，通常不需稳压管。国内CC4000系列产品的集成电路，可在3~18V工作电压下正常的工作中。
3、逻辑摆幅大MOS管集成电路的逻辑性高电平“1”、逻辑低电频“0”各自贴近于开关电源高电位VDD及影片低电位差VSS。当VDD=15V，VSS=0V时，导出逻辑摆幅类似15V。因而，MOS管集成电路的工作电压电压可利用率在各种集成电路中指标值是较高的。
4、输入电阻高MOS管集成电路的键入端一般全是由维护二极管和串连电阻组成的维护互联网，故比一般场效管的键入电阻稍小，但在一切正常工作标准电压范畴内，这种维护二极管均处在反方向偏置情况，直流电输入电阻在于这种二极管的泄露电流，一般情况下，等效电路输入电阻达到103~1011Ω，因而MOS管集成电路几乎不耗费光耦电路的输出功率。
5、温度可靠性能好因为MOS管集成电路的功耗很低，內部热值少，并且，MOS管电源电路路线构造和电气设备主要参数都具备对称，在温度自然环境产生变化时，一些主要参数能具有全自动赔偿功效，因此MOS管集成电路的温度特点很好。一般瓷器金属封装的电源电路，工作中温度为-55~ 125℃;塑胶封装形式的电源电路工作中温度范畴为-45~ 85℃。
6、扇出能力强扇出能力是用电源电路导出端能够推动的键入端数来表明的。因为MOS管集成电路的输入电阻极高，因而电源电路的导出能力受键入电容器的限定，可是，当MOS管集成电路用于推动同种类，如不考虑到速率，一般可以推动50个以上的键入端。
2、MOS管集成电路电阻的运用
1多晶硅电阻集成电路中的片式电阻器间距理想化电阻都较为远，在规范的MOS管加工工艺中，最满意的微波感应器电阻器是多晶硅条。
ρ为电阻率;t为金属薄板薄厚;R□=（ρ/t）为层析电阻率，企业为Ω/□;L/W为宽高比。因为常见的层析电阻不大，通常多晶硅较大的电阻率是100Ω/□，而设计方案标准又明确了多晶硅条总宽的极小值，因而低值的电阻必须较大的规格，因为集成ic范围的限定，事实上是难以完成的。自然还可以用蔓延条来做层析电阻，可是因为工艺技术的多变性，通常非常容易受温度和工作电压的危害，难以准确操纵其肯定标值。生存实际效果也十分显著。无论多晶硅或是蔓延层，她们的电阻的转变范畴都非常大，与引入原材料中的杂质浓度相关。不易测算精确值。因为以上缘故，在集成电路中常常应用数字功放电阻器。