我们知道，三极管是利用Ib 的电流去控制电流Ic 的，所以说三极管是电流控制电流的器件。
而MOS管是利用U gs 的工作电压去控制电流I d 的，所以说MOS管是电压控制电流的器件。
针对N断面加强型的MOS管，当U gs >U gs(th) 时，MOS便会逐渐关断，假如在D极和S极中间再加上一定的工作电压,便会有电流Id造成。
在一定的U ds 下，D极电流I d 的尺寸是与G极工作电压U gs 相关的。
大家先来说一下MOS管的频率特性曲线图，MOS管的频率特性可以分成三个区：截至区、恒流区、可调电阻区。
▲ MOSFET频率特性曲线图
截至区：当达到U gs
截止区在频率特性最下边挨近横坐标轴的一部分，表明MOS管不可以导电性，处于截至情况。截至区也叫夹断区，在该区域时断面所有夹断，电流I d 为0，管道不工作中。
恒流区：当达到U gs ≥U gs(th) ，且U ds ≥U gs -U gs(th) ，MOS管进到恒流区。
恒流区在频率特性曲线图正中间的部位，电流Id基本上不随U ds 转变，I d 的尺寸关键决策于工作电压U gs ，因此称为恒流区，也叫饱和状态区，当MOS用于做运算放大器时便是工作中在恒流区（饱和状态区）。
注：MOS管频率特性的恒流区（饱和状态区），等同于三极管的变大区。
可调电阻区：当达到U gs >U gs(th) ，且U ds
可变电阻区在频率特性的最左侧，I d 伴随着U ds的提高而升高，二者通常是线性相关 ，因此可以当作是一个线形电阻器，当U gs 不一样电阻器的电阻值便会不一样，因此在该区域MOS管非常便是一个由U gs 控制的可调电阻。
穿透区在频率特性左侧地区，伴随着U ds 扩大，PN结承担很大的反方向工作电压而被穿透，工作中时应当防止让管道工作中在该地区。
依据MOS管的频率特性曲线图， 例如下面的图是取Uds =10V的点，随后作为图的方式，可用获得对应的 迁移特点曲线图。
迁移特点是表明Uds 不会改变时，Id 与Ugs 相互关系。
在图中的迁移特点曲线图上，我们可以见到当 Ugs 超过4V时， Id 大幅提升，而当 Ugs 抵达5V以上时， Id 基本上没什么大变动了。
来源于：电子线路