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鑫飞宏推出5款TWS耳机锂电保护芯片,精度高、体积小
 日期:2021/12/16 10:14:00 

深(下面通称“鑫飞宏”)创立于2007年,是一家致力于锂电池保护芯片和场效MOS管产品研发、生产制造、市场销售于一体的高新技术产品,技术性精英团队来源于业内领跑的半导体企业,关键技术骨干有10很多年的电子产业管理经验。产品研发出一系列可靠性高,订制化商品及解决方法。

对于不断进步的TWS手机耳机销售市场,鑫飞宏发布了五款十分有目的性的解决方法,可使用于TWS手机耳机为象征的智能穿戴设备行业,今日咱们就来跟大伙儿具体共享一下这几种解决方法的特性:

1、分体式计划方案:FH3016系列产品高精度锂电池保护芯片 MOS

鑫飞宏FH3016系列产品具备下述特性

1、超高精度:充放电过流保护±10mv ,过充保护±20mv

2、超高抗压:28V

3、ESD可以通身体方式8000V

4、超高的抵御微波射频辐射源影响

2、混合型锂保FH8218

鑫飞宏FH8218特性:

1、特小封装形式容积:DFN1*1-4 L 0.5MM

2、小过流电流量,0.9A(典型值)

3、 ESD:7000V(HBM)

4、内嵌电阻器、电容器

3、混合型锂保8219系列产品

鑫飞宏FH8219-G12特性:

1、高精度:充放电过流保护±15mv ,过充保护±25mv

2、封装形式体型小:DFN2*2-6,L*0.55MM

3、小过流电流量,ID=1A(典型值)

4 內部集成化电阻器、电容器

5、内嵌20V高抗压MOS管

6、ESD:2000V(HBM)

4、混合型锂保FH8210

鑫飞宏FH8210特性:

1、亏电休眠状态作用

2、过放保护:3.0V

3、生产制造贴片式高效率,封装形式CPC-8

5、混合型锂保FH8208

鑫飞宏FH8208的特性:

1、生产制造贴片式高效率,封装形式SOT-23-5

2、高性价比

3、ESD:2000V(HBM)

6、MOS FH8205A的特性

鑫飞宏FH8205A的特性如下所示:

1、高抗压:VDS:20V VGS:12V

2、内电阻低

3、一致性好

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自iPhoneAirPods公布至今,TWS真无线耳机销售市场被迅猛引燃,通过了近四年時间的发展趋势,全部全产业链从造型设计到充电电池、电池充电、芯片计划方案等都是有了十分大的提高。做为商品运作的基本,手机耳机和电池充电盒里电池管理芯片和保护芯片也在持续更新。

本次鑫飞宏发布的5款TWS手机耳机锂电池保护计划方案,具备超高精度,小容积,性价比高的特性,希望这种商品在大量的TWS手机耳机上开展运用。

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