mos管是金属材料（metal）—金属氧化物（oxide）—半导体材料（semiconductor）场效晶体管，或是称是金属材料—绝缘物（insulator）—半导体材料。MOS管的source和drain是可以互换的，她们全是在P型backgate中产生的N型区。在大部分状况下，这一2个区是一样的，即使两边互换也不会危害器件的特性。那样的器件被觉得是对称性的。
mos管界定
双极型晶体管把键入端电流的细微转变变大后，在导出端导出一个大的电流转变。双极型晶体管的收获就界定为导出键入电流之比（beta）。另一种晶体管，称为场效管（FET），把键入工作电压的转变转换为导出电流的转变。FET的收获相当于它的transconductance， 界定为导出电流的变动和输出工作电压转变之比。目前市面上经常出现的一般为N沟道和P沟道，详细信息参照右边照片（N沟道耗光型MOS管）。而P沟道普遍的为低电压mos管。
N沟道mos管标记
场效管根据投射一个静电场在一个电缆护套上去危害穿过晶体管的电流。实际上沒有电流穿过这一绝缘物，因此FET管的GATE电流十分小。最一般的FET用一层析二氧化硅来做为GATE极下的绝缘物。这类晶体管称之为氢氧化物半导体材料（MOS）晶体管，或，氢氧化物半导体材料场效管（MOSFET）。由于MOS管更小更节电，因此她们早已在许多运用场所替代了双极型晶体管。
P沟道mos管标记
MOS管被穿透的缘故及解决方法如下所示：
第一、MOS管自身的输入阻抗很高，而栅-源极间电容又如此小，因此非常容易受外部磁场或静电的磁感应而通电，而小量正电荷就可在极间电容上产生非常高的工作电压（U=Q/C），将管道毁坏。尽管ＭＯＳ键入端有抗静电的保障措施，但仍需当心看待，在储存和运送中最好用不锈钢容器或是导电性原材料包裝，不必放到易造成静电髙压的化工原料或化学纤维纺织物中。拼装、调节时，专用工具、仪表盘、操作台等均应优良接地装置。要避免实际操作工作人员的静电影响产生的毁坏，如不适合穿涤纶、化纤衣服，手或专用工具在触碰引脚前最好是先接一下地。对器件导线调直弯折或人力电焊焊接时，应用的机器设备务必优良接地装置。
第二、ＭＯＳ电源电路键入端维护二极管，其关断时电流容限一般为１ｍＡ 在很有可能发生过大瞬态键入电流（超出１０ｍＡ）时，应串连键入防护电阻器。而129#在前期设计方案时沒有添加维护电阻器，因此这也是MOS管很有可能穿透的缘故，而根据拆换一个內部有维护电阻器的MOS管应可预防此类无效的产生。也有因为维护电源电路获取的一瞬间动能比较有限，很大的一瞬间数据信号和过高的静电工作电压将使维护电源电路失去了功效。因此电焊焊接时电铬铁务必安全可靠接地装置，防止走电穿透器件键入端，一般应用时，可关闭电源后运用电铬铁的余热回收开展电焊焊接，并先焊其接地装置引脚。
静电的基本上物理学特点为：有吸引住或抵触的能量；有静电场存有，与地面有电位差；会造成充放电电流。这三种情况会对电子器件元件导致下列危害：
1.元件吸咐尘土，更改路线间的特性阻抗，危害元件的基本功能和使用寿命。
2.因静电场或电流毁坏元件电缆护套和电导体，使元件不可以工作中（彻底毁坏）。
3.因一瞬间的静电场软穿透或电流造成太热，使元件负伤，尽管仍能工作中，可是使用寿命损伤。
以上这三种状况中，假如元件彻底毁坏，定能在生产制造及质量检测中被发觉而清除，危害较少。假如元件轻度损伤，在一切正常检测中不容易被发觉，在这个情况下，经常因通过多次生产加工，乃至已在运用时，才被发觉毁坏，不仅查验不容易，并且损害亦难以预料。静电对电子器件元件造成的伤害不逊于比较严重火灾事故和发生爆炸的损害
电子器件元件及商品在什么情况会遭到静电毁坏呢？可以这样说：电子设备从生产制造到应用的过程都遭到静电毁坏的危害。从器件生产制造到软件装焊、整体装联、包裝运送直到商品运用，都是在静电的危害下。在全部电子设备生产过程中，每一个环节中的每一个小流程，静电比较敏感元件都很有可能遭到静电的危害或受到损坏，而事实上最关键而又非常容易粗心大意的一点则是在元件的传输与运送的全过程。在这个环节中，运送因挪动非常容易曝露在外部静电场（如通过髙压机器设备周边、职工挪动经常、车子快速挪动等）造成静电而受到损坏，因此传输与运送全过程必须需注意，以减少损失，防止不在乎的 ** 。