实际上MOS管一个ESD比较敏感器件,它自身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又如此小，因此非常容易受外部磁场或静电的磁感应而通电,又因在静电极强的场景难以泄流正电荷，非常容易造成静电击穿。下边电子器件元器件采购网带各位看一下静电击穿的方法
静电击穿有这两种方法：
一是工作电压型，即栅极的薄空气氧化层产生击穿，产生针眼，使栅极和源极间短路故障，或是使栅极和漏极间短路故障；二是输出功率型，即镀覆塑料薄膜铝板被融断，导致栅极引路或是是源极引路。如今的mos管沒有那麼非常容易被击穿，尤其是是功率大的的vmos,主要是许多都是有二极管保护。vmos栅极电容器大，磁感应出不来髙压。若是遇上3DO型的mos管冬季没有防静电环试一下，大部分摸一个挂一个。与干躁的北方地区不一样，南方地区湿冷不容易造成静电。也有就是目前大部分CMOS器件內部早已提升了IO口保护。但拿手直接接触CMOS器件引脚并不是良好的习惯。最少使引脚可锻性下降。静电充放电产生的是短时间大电流量，放脉冲电流的稳态值远低于器件排热的稳态值。因而，当静电充放电电流量根据总面积不大的pn结或肖特基结时，将造成较大的一瞬间功率，产生部分太热，有可能使部分结温高达乃至超出原料的本征溫度(如硅的熔点1415℃)，使结区部分或好几处融化造成pn结短路故障，器件完全无效。这类无效的产生是否，关键在于器件內部地区的功率，功率越小，表明器件越容易遭受损害。反偏pn结比正偏pn结更非常容易出现热致无效，在反偏标准下使结损伤所须要的能力仅有正偏标准下的十分之一上下。这是由于反偏时，绝大多数输出功率耗费在结区核心，而正偏时，则多耗费在结省外的体电阻器上。针对双极器件，通常发射结的总面积比其他结的总面积都小，并且结面也比其他结更挨近表层，因此经常观查到的是发射结的衰退。除此之外，击穿工作电压高过100V或泄露电流超过1nA的pn结(如JFET的栅结)，比相近大小的基本pn结队静电充放电更为比较敏感。全部的東西是相应的，并不是一定的，MOS管仅仅相对性其他的器件要比较敏感些，ESD有一个非常大的特征便是偶然性，并非沒有遇到MOS管都可以把它击穿。此外，就算是造成ESD，都不一定会把管道击穿。
静电的基本上物理学特点为：
(1)有吸引住或抵触的能量;
(2)有静电场存有，与地面有电位差;
(3)会造成充放电电流量。
这三种情况即ESD一般会对电子器件元件导致下列三种情况的危害：
(1)元件吸咐尘土，更改路线间的特性阻抗，危害元件的基本功能和使用寿命;
(2)因静电场或电流量毁坏元件电缆护套和电导体，使元件不可以工作中(彻底毁坏);
(3)因一瞬间的静电场软击穿或电流量造成太热，使元件负伤，尽管仍能工作中，可是使用寿命损伤。因此ESD对MOS管的毁坏很有可能是一，三二种状况，并不一定每一次全是第二种状况。以上这三种状况中，假如元件彻底毁坏，定能在生产制造及质量检测中被发觉而清除，危害较少。假如元件轻度损伤，在一切正常检测中不容易被发觉，在这个情况下，经常因通过多次生产加工，乃至已在运用时，才被发觉毁坏，不仅查验不容易，并且损害亦难以预料。静电对电子器件元件造成的伤害不逊于比较严重火灾事故和发生爆炸的损害。电子器件元件及商品在什么情况会遭到静电毁坏?可以这样说：电子设备从生产制造到应用的过程都遭到静电毁坏的危害。从器件生产制造到软件装焊、整体装联、包裝运送直到商品运用，都是在静电的危害下。在全部电子设备生产过程中，每一个环节中的每一个小流程，静电比较敏感元件都很有可能遭到静电的危害或受到损坏，而事实上最关键而又非常容易粗心大意的一点则是在元件的传输与运送的全过程。在这个环节中，运送因挪动非常容易曝露在外部静电场(如通过髙压机器设备周边、职工挪动经常、车子快速挪动等)造成静电而受到损坏，因此传输与运送全过程必须需注意，以减少损失，防止不在乎的 ** 。安全防护得话加齐纳稳压极管保护。如今的mos管沒有那麼非常容易被击穿，尤其是是功率大的的vmos,主要是许多都是有二极管保护。vmos栅极电容器大，磁感应出不来髙压。与干躁的北方地区不一样，南方地区湿冷不容易造成静电。也有就是目前大部分CMOS器件內部早已提升了IO口保护。但拿手直接接触CMOS器件引脚并不是良好的习惯。最少使引脚可锻性下降。
MOS管被击穿的缘故及解决方法
第一、MOS管自身的输入电阻很高，而栅源极间电容又如此小，因此非常容易受外部磁场或静电的磁感应而通电，而小量正电荷就可在极间电容上产生非常高的工作电压 (U=Q/C)，将管道毁坏。尽管MOS键入端有抗静电的保护对策，但仍需当心看待，在储存和运送中最好用不锈钢容器或是导电性原材料包裝，不必放到易造成静电髙压的化工原料或化学纤维纺织物中。拼装、调节时，专用工具、仪表盘、操作台等均应优良接地装置。要避免实际操作工作人员的静电影响产生的毁坏，如不适合穿涤纶、化纤衣服，手或专用工具在触碰引脚前最好是先接一下地。对器件导线调直弯折或人力电焊焊接时，应用的机器设备务必优良接地装置。第二、MOS电源电路键入端保护二极管，其通时电流量容限一般为1mA，在很有可能发生过大瞬态键入电流量(超出10mA)时，应串连键入保护电阻器。因而运用时可挑选一个內部有保护电阻器的MOS管应。也有 因为保护电源电路获取的一瞬间动能比较有限，很大的一瞬间数据信号和过高的静电工作电压将使保护电源电路失去了功效。因此电焊焊接时电铬铁务必安全可靠接地装置，防止走电击穿器件键入端，一般应用时，可关闭电源后运用电铬铁的余热回收开展电焊焊接，并先焊其接地装置引脚。MOS是工作电压推动元件，对工作电压很比较敏感，悬在空中的G很容易接受外界影响使MOS关断，外界电磁干扰对G-S结电容电池充电，这一细微的正电荷可以存储很长期。在实验中G悬在空中很危险，许多就是因为那样爆裂，G接个下拉电阻对地，旁通电磁干扰就不容易直达了，一般可以10~20K。这一电阻器称之为栅极电阻器，功效1：为场效管给予偏置电压;功效2：具有泻放电阻的作用(保护栅极G~源极S)。第一个功效好了解，这儿解释一下第二个功效的基本原理：保护栅极G~源极S：场效管的G-S极间的阻值是挺大的，那样只需有少许的静电就能使他的G-S极间的等效电路电容器两边造成很高的工作电压，如果不立即把这种小量的静电泻排掉，他两边的髙压就会有也许使场效管造成错误操作，乃至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极中间加的电阻器就可以把以上的静电泻排掉，进而具有了保护场效管的功效。