近几年来，数字科技的发展，如微控制器计算效率不断提高，带来深层次产品研发新一代MOSFET大量的驱动力，也促使MOSFET自身的操作速度变的越来越快，几乎变成各种各样半导体积极元器件中更快的一种。因为MOSFET元器件的性能慢慢提高，除开传统式上运用于例如微控制器、微处理器等多位信号分析的场所，也是有愈来愈多仿真模拟信号分析的电子器件可以用MOSFET来完成。而安森美半导体凭着非常结MOSFET技术性，变成该行业内的引领者。
安森美半导体密切关注行业动态，持续科学研究自主创新，使MOSFET技术性迈向效率高、高频率化、密度高的、小容积、可靠性高及寿命长的发展趋势路面，追随现阶段“天地万物连接网络”环境下加快数字电子化水准过程。安森美半导体发布新的900V和1200V2个碳碳复合材料（SiC）MOSFET系列产品，拓展了其宽禁带（WBG）器件系列产品。这2款新的器件可以提供比硅更快的电源开关性能和更高的稳定性。与此同时其迅速本征二极管具备低反向恢复正电荷，可以明显减少耗损，提升输出功率及其总体方法的功率。
小芯片尺寸进一步增强高频率工作中，达至更小的器件电容器和更低的门极正电荷-Qg（低至220nC），进而减少在高频率下工作中时的开关损耗。这种提高作用比根据Si的MOSFET提升能耗等级，减少干扰信号（EMI），并可应用更少（或更小）的微波感应器器件。极坚固的SiC MOSFET比Si器件提供更高的浪涌保护器额定电流、更强的山崩工作能力和更高的抗短路故障性能，进而提供更高的稳定性和更长的使用期限，这对高标准的当代开关电源运用尤为重要。
此外，1200V器件的额定电压达到103A（较大ID），而900V器件的额定电压达到118A。针对必须更高电流量的运用，安森美半导体的MOSFET可便于并接运作，以其正温指数/不会受到环境温度危害。这也促使新器件适用各种各样高标准的高提高运用，包含太阳能逆变器、纯电动车（EV）车截电池充电、ups电源（UPS）、服务器电源和EV充电桩，提供的性能水准是别的硅（Si）MOSFET没办法完成的。
安森美半导体一直秉着高效率自主创新的开发核心理念，坚持不懈提供高性能、可靠性高的各种器件，在其中也包含非常结MOSFET。此外，安森美半导体还将完成大量的低消耗高规定计划方案。希望安森美半导体将来的革新与更新。