做电源设计，及生产制造电子设备或是做推动层面的电路，免不了要使用MOS管。MOS管在电路维护中具有至关重要的影响力，MOS管有很多方式及封装形式，也是有一些功效。做开关电源或是推动的应用，自然便是用它的开关功效。
不管N型或是P型MOS管，其原理实质是一样的。MOS管是由加在键入端栅极的工作电压来操纵导出端漏极的电流量。MOS管是压控器件它利用加在栅极上的工作电压操纵器件的特点，不容易产生像三极管做开关时的因基极电流量造成的正电荷储存效用，因而在开关运用中，MOS管的开关速率应当比三极管快。
一、MOS管电路原理：
我们在开关开关电源中常见MOS管的漏极引路电路，如下图2漏极完好无损地接负荷，叫引路漏极，引路漏极电路中无论负荷接多大的工作电压，都可以接入和关闭负荷电流量。
是理想化的仿真模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的基本原理。自然MOS管做开关应用的电路方式比较多了。
二、NMOS管的引路漏极电路：
在开关开关电源运用层面，这类操作必须MOS管按时导通与关闭。例如，DC-DC电源中较常用的基本上降血压转化器依靠2个MOS管来实行开关作用，这种开关更替在电感器里储存动能，随后把动能释放出来给负荷。大家常挑选数百人kHz甚至1MHz以上的工作频率，由于工作频率越高，带磁元器件可以更小更加轻。在常规工作中期内，MOS管只等同于一个电导体。因而，大家电路或是电源设计工作人员最在意的是MOS的最少传输耗损。
大家常常看MOS管的PDF主要参数，MOS管生产商选用RDS(ON)主要参数来界定关断阻抗，对开关运用而言，RDS(ON)也是最重要的器件特点。数据信息指南界定RDS(ON)与栅极(或推动)工作电压VGS及其流过开关的电流量相关，但针对充足的栅极推动，RDS(ON)是一个相对性静态数据主要参数。一直处在关断的MOS管非常容易发烫。此外，渐渐地上升的结温也会造成RDS(ON)的提升。
MOS管数据信息指南要求了热阻抗主要参数，其定位为MOS管封装形式的半导体材料结排热工作能力。RθJC的比较简单的理解是结到列管式的热阻抗。
三、MOS管在电路中的发热原因：
1.电路设计方案的问题，便是让MOS管工作中在线形的运行状态，而不是在开关情况。这也是造成MOS管发烫的一个缘故。假如N-MOS做开关，G级工作电压要比开关电源高几V，才可以彻底关断，P-MOS则反过来。沒有彻底开启而损耗过大导致输出功率耗费，等效电路直流电阻抗较为大，损耗扩大，因此U*I也扩大，耗损就代表着发烫。这也是设计方案电路的最避讳的不正确。
2.工作频率太高，主要是有时候太过追求完美容积，造成工作频率提升，MOS管上的耗损扩大了，因此发烫也扩大了。
3.沒有搞好充足的导热设计方案，电流量太高，MOS管允差的电流，一般必须优良的排热才可以做到。因此ID低于较大电流量，也很有可能发烫比较严重，必须非常的协助散热器。
4.MOS管的型号选择不正确，对输出功率分辨不正确，MOS管内电阻沒有考虑到，造成开关阻抗扩大。