MOS管别名是场效管，是金属材料-金属氧化物-半导体材料型场效管，英语：MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，归属于绝缘层栅型。文中就构造结构、特性、好用电源电路等好多个层面用技术工程师得话简易叙述。
其结构示意图：
表述1：沟道
上边图内，下面的p型正中间一个窄条形便是沟道，促使上下二块P型极连在一起，因而mos管导通后是电阻器特点，因而它的一个关键主要参数便是导通电阻器，采用mos管务必清晰这一主要参数是不是合乎要求。
表述2：n型
图中表明的是p型mos管，阅读者可以根据此图了解n型的，全是相反就可以。因而，不难理解，n型的如下图在栅极加正压力会造成导通，而p型的反过来。
表述3：加强型
相对性于耗光型，加强型是根据“加厚型”导电性沟道的薄厚来导通，如下图。栅极电压越低，则p型源、漏极的共价键就越接近正中间，n衬底的空气负离子就越避开栅极，栅极电压做到一个值，叫阈值或坎压时，由p型分散了的共价键连在一起，产生安全通道，便是图例实际效果。因而，非常容易了解，栅极电压务必低到一定水平才可以导通，电压越低，安全通道越厚，导通电阻器越小。因为静电场的抗压强度与间距平方米正相关，因而，静电场强到一定水平以后，电压降低造成的沟道加厚型也就不非常明显了，也是由于n型空气负离子的“忍让”是愈来愈难的。耗光型的是事前作出一个导通层，用栅极来加厚型或是减薄来操纵源漏的导通。但这类管道一般不生产制造，在市面上基本上见不上。因此，大伙儿平常说mos管，就默认设置 是加强型的。
表述4：上下对称性
图例上下是对称性的，或多或少有些人问如何判断源极和漏极呢?实际上基本原理上，源极和漏极的确是对称性的，不是区别的。但在具体运用中，生产厂家一般在源极和漏极中间联接一个二极管，起维护功效，恰好是这一二极管决策了源极和漏极，那样，封装形式也就确定了，有利于好用。亲爱的老师年青时使用过没有二极管的mos管。很容易被静电感应穿透，平常要存放在铁制陶罐里，它的源极和漏极便是随意接。
表述5：氢氧化物膜
图内有标示，这一膜是绝缘层的，用于电气隔离，促使栅极只有产生静电场，不可以根据直流电源，因而是用电压操纵的。在直流电源气上，栅极和源漏极是短路。不难理解，这一膜越薄：静电场功效越好、坎压越小、同样栅极电压时导通工作能力越强。弊端是：越非常容易穿透、制作工艺难度系数越大而价钱越高。比如导通电阻器在欧母级的，1角RMB上下买一个，而2402等在十毫欧级的，要2元多(大批量买。零售是4元上下)。
表述6：与实体的差别
图中只是是基本原理性的，具体的元器件提升了源-漏中间跨接线的维护二极管，进而区别了源极和漏极。具体的元器件，p型的，衬底是正接开关电源的，促使栅极事先变成相对性负电压，因而p型的管道，栅极无需加负电压了，接地装置就能确保导通。等同于事先进行了不可以导通的沟道，严苛讲应该是耗光型了。益处是非常明显的，运用时撇开了负电压。
表述7：寄生电容
图中的栅极根据氢氧化物与衬底产生一个电容器，越发高质量的mos，膜越薄，寄生电容越大，常常mos管的寄生电容做到nF级。这一主要参数是mos管挑选时尤为重要的主要参数之一，务必考虑到清晰。Mos管用以操纵大电商品流通断，常常被规定数十K甚至数M的电源开关工作频率，在这类主要用途中，栅极数据信号具备沟通交流特点，工作频率越高，沟通交流成份越大，寄生电容就能根据交流电的方式根据电流量，产生栅极电流量。耗费的电磁能、造成的发热量不容忽视，乃至变成关键问题。为了更好地追求完美快速，必须强有力的栅极推动，也是这些大道理。设想，弱推动数据信号一瞬间变成高电平，可是为了更好地“注满”寄生电容必须时长，便会造成上升沿减慢，对电源开关工作频率产生重要危害直到不可以工作中。
表述8：怎样工作中在变大区
Mos管也可以工作中在变大区，并且很普遍。做镜像系统电流源、放大电路、反馈调节等，全是运用mos管工作中在变大区，因为mos管的特点，当沟道处在似通非通时，栅极电压立即危害沟道的导电能力，展现一定的线性相关。因为栅极与源漏防护，因而其输入电阻可视作无穷，自然，随工作频率增强特性阻抗就那么小，一定工作频率时，就越来越不容忽视。这一高特性阻抗特性被普遍用以放大电路，放大电路剖析的虚连、虚断2个关键标准便是根据这一特性。这也是三极管不能比较的。
表述9：发热原因
Mos管发烫，关键因素之一是寄生电容在经常打开关掉时，呈现沟通交流特点而具备特性阻抗，产生电流量。有电流量就会有发烫，并不是静电场型的就沒有电流量。另一个因素是当栅极电压抬升迟缓时，导通情况要“经过”一个由关掉到导通的零界点，这时，导通电阻器非常大，发烫较为强大。第三个缘故是导通后，沟道有电阻器，过主电流量，产生发烫。关键考虑到的发烫是第1和第3点。很多mos管具备结温过高维护，说白了结温便是金属材料空气氧化膜下边的沟道地区环境温度，一般是150℃。超出此环境温度，mos管不太可能导通。环境温度降低就修复。要留意这类维护情况的不良影响。
只愿以上叙述能简单的了解mos管，下边说说好多个约定成俗电源电路：
1：pmos运用
一般用以管理方法开关电源的导通，归属于无触点开关，栅极低电频就彻底导通，高电平就彻底截至。并且，栅极可以加宽过开关电源的电压，代表着可以用5v信号管理方法3v开关电源的电源开关，这一基本原理也用以脉冲信号变换。
2：nmos管运用
一般用以管理方法某电源电路是不是接地装置，归属于无触点开关，栅极高电平就导通造成接地装置，低电频截至。自然栅极还可以用负电压截至，但这一益处没有什么实际意义。其高电平可以高过被控制一部分的开关电源，由于栅极是防护的。因而可以用5v信号操纵3v系统软件的某点能否接地装置，这一基本原理也用以脉冲信号变换。
3：变大区运用
工作中于变大区，一般用于设计方案集成运放电路，必须的基础知识比较多，相近放大电路，这儿没法详说。常见做镜像系统电流源、电流量意见反馈、电压意见反馈等。对于放大电路的整合运用，大家实际上无需关心。人家都搞好了，看中datasheet就可以了，无需按mos管方法去考虑到导通电阻器和寄生电容。