《泰德兰电子》给予输出功率MOSFET的型号规格型号选择及运用问题分析及其AC-DC,DC-DC电源IC计划方案型号规格建议---mos管p管n管区别方式-MOS管的N沟道与P沟道中间的关联有什么？
答：mos管p管n管区别方式
MOS管在IC中是十分关键的电子器件，那样mos管p管n管区别方式有什么？
mos管p管n管区别的第一种方式便是可以依据电流方向来分辨，如下图就是说，电流量排出的为NMOS管
下面的图为PMOS管，电流量注入的为PMOS管。
mos管p管n管区别的第二种方式是依据衬底PN结的方位，PN结偏向内的为NMOS管，如下图所显示
PN结偏向外的为PMOS管，如下图所显示
MOS管的N沟道与P沟道中间的关联
在具体新项目中，大家基本上都用加强型mos管，分成N沟道和P沟道二种。
大家常见的是NMOS，由于其导通电阻器小，且非常容易生产制造。在MOS管电路原理图上可以见到，漏极和源极中间有一个生存二极管。这一叫体二极管，在驱动交流电流（如电机），这一二极管很重要。顺带说一句，体二极管只在单独一个的MOS管内存有，在集成电路芯片集成ic内部结构通常是沒有的。
1.导通特点
NMOS的特点，Vgs超过一定的值便会导通，合适用以源极接地装置时的状况（中低端驱动），只需栅压电压做到4V或10V就可以了。
PMOS的特点，Vgs低于一定的值便会导通，合适用以源极接VCC时的状况（高档驱动）。可是，尽管PMOS可以很便捷地作为高档驱动，但因为导通电阻器大，价钱贵，更换类型少等缘故，在高档驱动中，通常或是应用NMOS。
2.MOS开关管损失
无论是NMOS或是PMOS，导通后都是有导通电阻器存有，那样电流量便会在这个电阻器上耗费动能，这一部分耗费的动能称为导通耗损。挑选导通电阻器小的MOS管会减少导通耗损。如今的小输出功率MOS管导通电阻器一般在几十毫欧上下，几毫欧的也是有。
MOS在导通和截至的情况下，一定并不是在一瞬间进行的。MOS管两边的电压有一个降低的全过程，穿过的电流量有一个升高的全过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流量的相乘，称为电源开关损失。通常电源开关损失比导通损失大很多，并且电源开关工作频率越高，损失也越大。
导通一瞬间电压和电流量的相乘非常大，导致的损失也就非常大。减少定时开关，可以减少每回导通时的损失；减少电源开关工作频率，可以减少单位时间内的电源开关频次。这二种方法可以减少电源开关损失。
3.MOS管驱动
跟双正负极晶体三极管对比，一般觉得使MOS管导通不用电流量，只需GS电压高过一定的值，就可以了。这一非常容易保证，可是，大家还必须速率。
在MOS管的构造中可以见到，在GS，GD中间存有分布电容，而MOS管的驱动，事实上便是对电容器的蓄电池充电。对电容器的电池充电必须一个电流量，由于对电容器电池充电同时可以把电容器当做短路故障，因此一瞬间电流量会非常大。挑选/设计方案MOS管驱动时第一要留意的是可带来一瞬间短路容量的尺寸。
第二留意的是，广泛适用于高档驱动的NMOS，导通时必须是栅压电压超过源极电压。而高档驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）同样，因此这时栅压电压要比VCC大4V或10V。假如在同一个系统软件里，要获得比VCC大的电压，就需要专业的整流电路了。许多电机驱动器都集成化了电荷泵，要留意的是应当选用适宜的外置电容器，以获取充足的短路容量去驱动MOS管。