《泰德兰电子》提供输出功率MOSFET的型号规格型号选择及运用问题分析及其AC-DC,DC-DC电源IC计划方案型号规格建议---什么是pwm驱动mos管电源开关?
答：MOS管开关电路是利用一种电源电路，是利用MOS管栅压（g）操纵MOS管源极（s）和漏极（d）导通的基本原理结构的电源电路。MOS管分成N断面与P断面，因此开关电路也关键分成二种。文中为各位产生三种pwm驱动mos管开关电路分析。
AO3401便是很常见的MOS管了，独特负荷如H桥里边的双MOS驱动。有常用的驱动集成ic如AO3400
假如仅仅单独一个MOS管的一般驱动方法像这类加强型NMOS管立即加一个电阻器过流保护就可以。因为MOS管内部结构有分布电容有时为了更好地加快电容放电，会在功率电阻反方向并接一个二极管。
用以NMOS的驱动电源电路和用以PMOS的驱动电源电路
对于NMOS驱动电源电路做一个简易剖析：
Vl和Vh分别是中低端和高档的开关电源，2个电压可以是同样的，可是Vl不应该超出Vh。
Q1和Q2构成了一个反置的图腾柱，用于完成防护，与此同时保证二只驱动管Q3和Q4不容易与此同时关断。
R2和R3提供了PWM电压标准，根据修改这一标准，可以让电源电路工作中在PWM信号波型较为陡直的部位。
Q3和Q4用于提供驱动电流量，因为关断的情况下，Q3和Q4相对性Vh和GND最少都只有一个Vce的损耗，这一损耗通常仅有0.3V上下，大大的小于0.7V的Vce。
R5和R6是意见反馈电阻器，用以对gate电压开展取样，取样后的电压根据Q5对Q1和Q2的基极造成一个明显的负的反馈，进而把gate电压限定在一个比较有限的标值。这一标值可以根据R5和R6来调整。
最终，R1提供了对Q3和Q4的基极电流量限定，R4提供了对MOS管的gate电流量限定，也就是Q3和Q4的Ice的限定。必需的过程中可以在R4上边并接加速电容。
这一电源电路提供了如下所示的特性：
1，用中低端电压和PWM驱动高档MOS管。
2，用一些较小幅度的PWM信号驱动高gate电压要求的MOS管。
3，gate电压的最高值限定
4，键入和导出的电流量限定
5，根据采用适宜的电阻器，可以做到很低的功能损耗。
6，PWM信号正相反。NMOS并不一定这一特性，可以根据外置一个反相器来处理。