MOS管的MOS特点：
turn off /turn on 延迟 ：限定了MOS元器件的工作中速率頻率，当应用MOS左右管时务必留意二只管道的反应速度，即上管关掉下管导通中间的延迟。MOS管的通断电阻器RDS（on)伴随着温度的上升而提升MOS管的阀值电压VGS（th）断面体区产生反型时必须的最少栅源电压，VGS（th）随温度上升而减少MOS漏源击穿电压：稳定时关拆断的较大电压不可以达到额定值电压的70%~90%漏极电流量Idd:测算获得已经知道：壳温TC，通断电阻器Rds(on)(一定温度下)，传热系数RthJc， 较大结温Tj ** x
MOS 的雪崩，与寄生的NPN双极晶体管相关MOS管EOS 的来源于dv/dt过快，造成寄生的NPN晶体管激话，二次击穿（雪崩或是输出功率击穿）产生栅电压推动太强或静电感应电压过大，激话寄生的NPN晶体管栅压输出功率过大，激话寄生的NPN晶体管谐振电路造成寄生的NPN晶体管激话，二次击穿