MOS管集成电路特性：
生产制造加工工艺非常简单、良品率较高、功能损耗低、构成的逻辑性电路非常简单，处理速度高、抗干扰性强，尤其适用于规模性集成电路。
MOS管集成电路包含:
NMOS管构成的NMOS管电路、PMOS管构成的PMOS管电路及由NMOS和PMOS二种管道构成的相辅相成MOS电路，即CMOS电路。
PMOS管门电路与NMOS管电路的基本原理完全一致，仅仅开关电源极性相反罢了。
数据电路中MOS集成电路所运用的MOS管均为增强型管道，负荷常见MOS管做为数字功放负荷，那样不但节约了单晶硅片总面积，并且简单化了加工工艺有利于规模性集成化。常见的标记如
图1所显示。
N沟MOS管
金属材料-金属氧化物-半导体材料(Metal-Oxide-SemIConductor)构造的晶体三极管通称MOS管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管组成的集成电路称之为MOS管集成电路，而PMOS管和NMOS管一同组成的相辅相成型MOS管集成电路即是CMOS管集成电路。
由p型衬底和2个浓度较高的n蔓延区组成的MOS管称为n沟道MOS管，该管导通时在2个浓度较高的n蔓延区段产生n型导电性沟道。n沟道增强型MOS管务必在栅压上增加正方向偏压，且仅有栅源工作电压超过阈值电压时才有导电性沟道造成的n沟道MOS管。n沟道耗光型MOS管就是指在没有加栅压（栅源工作电压为零）时，就会有导电性沟道造成的n沟道MOS管。
NMOS管集成电路是N沟道MOS电路，NMOS集成电路的输入电阻很高，大部分不用消化吸收电流量，因而，CMOS管与NMOS集成电路联接时无须考虑到电流量的负荷难题。NMOS管集成电路大多数选用单组正开关电源供电系统，而且以5V为多。CMOS管集成电路只需采用与NMOS管集成电路同样的开关电源，就可与NMOS集成电路立即联接。但是，从NMOS到CMOS立即联接时，因为NMOS輸出的上拉电阻小于CMOS管集成电路的键入上拉电阻，因此必须应用一个（电位差）上拉电阻R，R的选值一般采用2～100KΩ。
N沟道增强型MOS管的构造
在一块夹杂浓度值较低的P型硅衬底上，制做2个高夹杂物质的N 区，并且用金属铝引出来2个电级，各自作漏极d和源极s。
随后在半导体材料表层遮盖一层薄薄的二氧化硅(SiO2)电缆护套，在漏——源极间的电缆护套上再装上一个铝电级,做为栅压g。
在衬底上也引出来一个电级B，这就组成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底一般是接在一起的(大部分管道在在出厂前已连接好)。
它的栅压与其他电级间是绝缘层的。
图(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表标记。代表标记中的箭头符号方位表明由P(衬底)偏向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头符号方位与以上反过来，如图所示(c)所显示。