《泰德兰电子》给予输出功率MOSFET的型号规格型号选择及运用问题分析及其AC-DC,DC-DC电源IC计划方案型号规格强烈推荐---mos管开关小电流发热比较严重怎么解决？
答：小电流mos管发热剖析
mos管，做电源电路，或是做推动领域的电源电路，免不了要使用MOS管。MOS管有很多类型，也是有许多功效。做开关电源或是推动的应用，自然便是用它的开关功效。
不管N型或是P型MOS管，其原理实质是一样的。MOS管是由加在键入端栅极的电流来调节输入输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它利用加在栅极上的电流操纵器件的特点，不容易出现像三极管做开关时的因基极电流造成的正电荷储存效用，因而在开关运用中，MOS管的开关速率应当比三极管快。其具体基本原理如图所示：
在开关开关电源中常见MOS管的漏极引路电源电路，如图2漏极完好无损地接负荷，叫引路漏极，引路漏极电源电路中无论负荷接多大的工作电压，都能连接和断开负荷电流。是满意的仿真模拟开关器件。这就是MOS管做开关器件的基本原理。自然MOS管做开关应用的线路方式比较多了。
在开关开关电源运用层面，这类运用必须MOS管按时导通与关闭。例如，DC-DC电源中较常用的基本上降血压转化器依靠2个MOS管来实行开关作用，这种开关更替在电感器里储存动能，随后把动能释放出来给负荷。大家常挑选百余kHz甚至1MHz之上的頻率，由于工作频率越高，带磁元器件能够更小更加轻。在正常的工作中期内，MOS管只等同于一个电导体。因而，大家电源电路或是电源电路工作人员最在意的是MOS的最少传输耗损。
大家常常看MOS管的PDF主要参数，MOS管生产商选用RDS（ON）主要参数来界定通断特性阻抗，对开关运用而言，RDS（ON）也是最重要的器件特点。数据信息指南界定RDS（ON）与栅极（或推动）工作电压VGS及其流过开关的电流相关，但针对完全的栅极推动，RDS（ON）是一个相对性静态数据主要参数。一直处在通断的MOS管非常容易发热。此外，渐渐地上升的结温也会造成RDS（ON）的提升。MOS管数据信息指南要求了热特性阻抗主要参数，其界定为MOS管封裝的半导体材料结排热工作能力。RθJC的比较简单的理解是结到列管式的热特性阻抗。
mos管小电流发热的缘故
1、电路原理的难题，便是让MOS管工作中在线形的运行状态，而不是在开关情况。这也是造成MOS管发热的一个缘故。假如N-MOS做开关，G级工作电压要比开关电源高几V，才可以彻底通断，P-MOS则反过来。沒有彻底开启而损耗过大导致输出功率耗费，等效电路直流电特性阻抗较为大，损耗扩大，因此 U*I也扩大，耗损就代表着发热。这也是设计方案控制电路的最避讳的不正确。
2、頻率太高，主要是有时候太过追求完美容积，造成頻率提升，MOS管上的消耗扩大了，因此 发热也增加了。
3、沒有做到充足的导热设计方案，电流太高，MOS管允差的电流值，一般必须保持良好的排热才可以做到。因此 ID低于较大 电流，也很有可能发热比较严重，必须充足的輔助散热器。
4、MOS管的型号选择不正确，对输出功率分辨不正确，MOS管内电阻沒有考虑到，造成开关特性阻抗扩大。
mos管小电流发热比较严重怎么解决
1、搞好MOS管的导热设计方案，加上非常多的輔助散热器。
2、贴排热胶。