MOS管并联和晶体管及其MOS管的并联基础理论
晶体管与MOS管并联基础理论：
(1)、晶体管具备负的温度指数，即当温度上升时，通断电阻会缩小。
(2)、MOS管具备正的温度指数，即当温度上升时，通断电阻会慢慢增大。
对比于晶体管，MOS管的特点更为合适并联电源电路中的均流，因而当线路中电流非常大时，一般会选用并联MOS管的办法来开展分离。选用MOS管开展电流的均流时，当在其中一路电流超过另一路MOS管内的电流时，电流大的MOS管形成的卡路里多，进而造成通断电阻的扩大，降低穿过的电流；MOS管中间依据电流尺寸的差异来不断调整，最终可完成2个MOS管中间的电流平衡。
注：晶体管还可以根据并联来完成大电流的商品流通，可是这时必须根据在基极串连推动电阻来处理每个并联晶体管中间的电流平衡难题。
晶体管(MOS管)并联常见问题：
(1)、每个晶体管(MOS管)的基极(栅压)不可以立即相接，要各自串连推动电阻开展推动，以避免震荡。
(2)、要操纵每个晶体管(MOS管)的启用的时间和关闭時间保持一致，由于假如不一致，先打开的管道或后关闭的管道会因为电流过大而穿透毁坏。
(3)、为了更好地以防万一，最好是在每个晶体管(MOS)管的发射极(源极)串连均流电阻，自然这并不是强制性选择项。